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[发明专利]一种低漏电高速锁相环电荷泵电路-CN201310381514.1无效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。
一种漏电高速锁相环电荷电路

[实用新型]低漏电高速锁相环电荷泵电路-CN201320529264.7有效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种低漏电高速锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二MOS管的源极，第二MOS管的栅极与源极连接，漏极接地；第三MOS管的源极连接电压VAA，栅极连接漏极，漏极连接第四MOS管的源极，第四MOS管漏极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。
漏电高速锁相环电荷电路

[发明专利]薄膜晶体管、GOA栅极驱动电路、阵列基板和显示装置-CN201510487758.7有效
发明人：王宝强;朴相镇 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
申请日： 2015-08-10 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜晶体管、GOA栅极驱动电路、阵列基板和显示装置，涉及显示技术领域，能够解决由刻蚀不均匀引起的源、漏极之间发生短路的问题。其中，所述薄膜晶体管包括同层设置的分别呈梳状的源极和漏极，源极与源极引线连接，源极包括多个第一源极梳齿部以及连接多个第一源极梳齿部的源极梳柄部，漏极包括至少一个第一漏极梳齿部以及连接第一漏极梳齿部的漏极梳柄部；源极还包括第二源极梳齿部，第二源极梳齿部与源极梳柄部连接，且与源极引线连接；漏极还包括位于第二源极梳齿部和邻近第二源极梳齿部的第一源极梳齿部之间的第二漏极梳齿部，第二漏极梳齿部不与漏极梳柄部连接。
薄膜晶体管 goa 栅极驱动电路阵列显示装置

[发明专利]一种电子纸面板-CN202111346144.9在审
发明人：何维;胡自萍 -专利权人：江西兴泰科技有限公司
申请日： 2021-11-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： G02F1/167 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子纸面板，包括显示面板和IC，显示面板内设有呈矩阵排列的若干个像素单元，IC与多根纵向源极扫描线连接，IC设置于显示面板的纵向一侧，每一纵列的像素单元旁设有第一源极扫描线和第二源极扫描线，包括部分纵向源极扫描线分别与部分纵列像素单元旁的第一源极扫描线和第二源极扫描线对应连接，以及剩余的纵向源极扫描线分别与剩余的像素单元旁的第一源极扫描线或第二源极扫描线对应连接，多根纵向源极扫描线分别与多根横向源极扫描线对应连接，多根横向源极扫描线分别与多个横排像素单元内的源极层对应连接。本发明通过增设第一源极扫描线和第二源极扫描线，结合横向源极扫描线，实现源极扫描线的合理布线。
一种电子纸面

[发明专利]显示装置-CN200710167069.3无效
发明人：李旼哲;罗东均 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2007-10-31 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置，该显示装置包括显示面板、第一源极驱动器芯片和连接部分。显示面板包括多条源极线，源极线中的每条电连接到多个像素。第一源极驱动器芯片电连接到包括源极线中的第一源极线的第一组，以将具有第一极性的数据信号输出到第一源极线。连接部分将源极线中的第一源极线电连接到源极线中的最后源极线，以将具有第一极性的数据信号提供到最后源极线，而不需要用于驱动第(mk+1)源极线的另外的源极驱动器芯片。
显示装置

[发明专利]半导体器件及方法-CN202110049095.6在审
发明人：黄玉莲;王冠人;傅劲逢 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-14 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在实施例中，一种器件，包括：第一源极/漏极区域；第二源极/漏极区域；层间电介质(ILD)层，在第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域之上；第一源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第一源极/漏极接触件被连接到第一源极/漏极区域；第二源极/漏极接触件，延伸穿过ILD层，第二源极/漏极接触件被连接到第二源极/漏极区域；以及隔离特征，在第一源极/漏极接触件和第二源极/漏极接触件之间，该隔离特征包括电介质衬里和空隙，电介质衬里围绕空隙
半导体器件方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201611114382.6有效
发明人：郑凯予 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该方法包括一系列步骤，包括：形成晶体管，该晶体管具有位于鳍式结构内并且邻近跨越鳍式结构的栅极结构的源极/漏极区；在源极/漏极区正上方形成第一源极/漏极接触件，并且第一源极/漏极接触件电连接至源极/漏极区；在晶体管和第一源极/漏极接触件上方沉积复合阻挡结构；以及在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括：在沉积复合阻挡结构之前沉积第二蚀刻停止层并且在第一源极/漏极接触件正上方形成第二源极/漏极接触件，并且第二源极/漏极接触件电连接至第一源极/漏极接触件。该方法还包括在第二源极/漏极接触件上方形成接触件，并且接触件电连接至第二源极/漏极接触件。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板-CN202110332578.7在审
发明人：何政航;康报虹 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本申请公开了一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板，所述控制开关包括薄膜晶体管，所述驱动电路还包括与所述薄膜晶体管连接的源极引线，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，所述源极包括至少两个并列设置的源极分支，以及连接各源极分支的源极主干；所述漏极与所述源极同层设置，包括至少一个漏极分支，所述漏极分支设置在相邻所述源极分支之间，所述栅极与所述源极和漏极对应设置；所述源极引线与所述源极连接，且所述源极引线的延长线不与所述漏极分支重叠采用本案中的驱动电路，即使在蚀刻不均匀时，也不会导致源极和漏极短路的情况发生，有利于提高产品的生产良率。
一种驱动电路控制开关阵列显示面板

[发明专利]一种低电压应力的电容自均衡七电平逆变器-CN201910167881.9在审
发明人：刘俊峰;祝祥开;曾君 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-03-06 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H02M7/487 文献下载
摘要：本发明公开了一种低电压应力的电容自均衡七电平逆变器，包括直流输入电源，第一、二电容，第一、二、三、四、五、六、七、八、九、十开关管；直流输入电源正极连接第一、三、五开关管漏极，负极连接第二开关管源极、第六开关管源极、第七开关管漏极；第三开关管源极连接第四开关管源极；第四开关管漏极连接第九开关管漏极、第一电容正极；第一电容负极连接第五开关管源极、第六开关管漏极、第二电容正极；第二电容负极连接第八开关管漏极、第十开关管源极；第八开关管源极连接第七开关管源极；第九开关管源极连接第十开关管漏极、负载负极；第一开关管源极连接第二开关管漏极、负载正极；本发明具有电容自均衡、低电压应力等优点。
开关管漏极源极源极连接电容低电压直流输入电源电平逆变器电容负极电容正极均衡第一开关负极连接负载负极负载正极正极连接

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN202010574610.8在审
发明人：黄则尧 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：该半导体结构具有一基底；一漏极，配置在该基底中；一漏极接触点，配置在该漏极中；一源极，配置在该基底中；一源极接触点，配置在该源极中；一栅极结构，配置在该漏极与该源极之间，具有一底部；一通道，配置在该栅极结构的该底部，连接该漏极与该源极；一漏极应力源，配置在该漏极中并位于该栅极结构与该漏极接触点之间；一漏极应变硅层，配置在该基底中，并围绕该漏极应力源，且连接该通道；一源极应力源，配置在该源极中，并位于该源极接触点与该栅极结构之间；以及一源极应变硅层，配置在该基底中，并围绕该源极应力源，且连接该通道。
半导体结构及其制备方法

[发明专利]一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板-CN202110332575.3有效
发明人：何政航;康报虹 -专利权人：绵阳惠科光电科技有限公司;惠科股份有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2023-03-10 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：本申请公开了一种驱动电路的控制开关、阵列基板和显示面板，所述控制开关包括薄膜晶体管，所述驱动电路还包括与所述薄膜晶体管连接的源极引线，所述薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，与所述源极引线直接连接的所述源极分支为第一源极分支，不与所述源极引线直接连接的所述源极分支为第二源极分支；所述第一源极分支与相邻的所述漏极分支之间的沟道宽度，大于所述第二源极分支与相邻的所述漏极分支之间的沟道宽度。由于增大了第一源极分支与相邻漏极分支之间的沟道宽度，因此源极引线即使由于蚀刻不均匀的问题而突出于源极引线，仍不容易与漏极相交，不会导致源极和漏极短路，有利于提高产品的生产良率。
一种驱动电路控制开关阵列显示面板

[发明专利]一种双电流偏置的CMOS伪电阻-CN201910854145.0在审
发明人：刘帘曦;陈明仑;华天源;张怡;朱樟明 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2020-02-04 - 主分类号： H03H11/46 文献下载
摘要：本发明涉及一种双电流偏置的CMOS伪电阻，包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管和缓冲器，其中，第一PMOS管的漏极连接其栅极，衬底连接其源极，栅极连接第二PMOS管的栅极，源极连接第一NMOS管的源极；第二PMOS管的衬底连接其源极，漏极连接第二NMOS管的源极，源极作为CMOS伪电阻的第一端；第一NMOS管的漏极连接其栅极，衬底连接其源极，栅极连接第二NMOS管的栅极；第二NMOS管的衬底连接其源极，漏极作为CMOS伪电阻的第二端；缓冲器的同相输入端连接第二PMOS管的源极，反相输入端连接第一PMOS管的源极，输出端连接第一NMOS管的源极。
源极伪电阻衬底漏极缓冲器电流偏置栅极连接反相输入端输出端连接同相输入端泄露电流源极连接第一端鲁棒性

[发明专利]共源共栅半导体装置和制造方法-CN202011589335.3在审
发明人：里卡多·杨多克;罗伯特·蒙哥马利;亚当·罗西略 -专利权人：安世有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-10-12 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本公开涉及共源共栅HEMT半导体装置，包括：引线框；晶片焊盘，其附着到引线框；HEMT晶片，其附着到晶片焊盘，HEMT晶片包括第一侧上的HEMT源极和HEMT漏极、第二侧上的HEMT栅极，其中，该装置还包括MOSFET晶片，该MOSFET晶片附着到HEMT晶片的源极，MOSFET晶片包括MOSFET源极、MOSFET栅极和MOSFET漏极，其中，MOSFET漏极连接到HEMT源极，其中，MOSFET源极包括MOSFET源极夹片，其中，MOSFET源极夹片包括柱状件以将MOSFET源极连接到HEMT栅极，其中，通过导电材料来建立MOSFET源极到HEMT栅极的连接。
共源共栅半导体装置制造方法

[发明专利]功率模块-CN201510734212.7有效
发明人：廖奇泊;徐维;周雯 -专利权人：上海晶亮电子科技有限公司
申请日： 2015-11-02 - 公布日： 2016-03-16 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种功率模块，包括源极、源极导热板、漏极、漏极导热板，源极与源极导热板连接，漏极与漏极导热板连接，源极、源极导热板、漏极、漏极导热板都位于同一块散热板上。
功率模块

[发明专利]低噪声快速稳定锁相环电荷泵电路-CN202110981485.7在审
发明人：杨波 -专利权人：广州昌钰行信息科技有限公司
申请日： 2021-08-25 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H03L7/089 文献下载
摘要：本发明涉及一种低噪声快速稳定锁相环电荷泵电路，所述第一MOS管的源极连接电流源Mpcsr的漏极，栅极连接输入信号UP，漏极连接第二电压缓冲的输出，第二电压缓冲的输入来自一个直流电压VP；第三电压缓冲的输入来自一个直流电压VN，输出接到第四MOS管漏极。第四MOS管源极连接电流源Mncsr的源极，电流源Mncsr的栅极连接第五MOS管的栅极；第六MOS管的源极连接电压VAA，栅极和漏极均连接电流源Mpcsr的栅极，电流源Mpcsr的源极连接电压VAA，漏极连接开关管Mswp的源极，开关管Mswp的漏极连接开关管Mswn的源极，开关管Mswm栅极连接输入信号DN，漏极与电流源Mncsr的源极连接。
噪声快速稳定锁相环电荷电路

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